Описание
Транзистор CEB13N5 — Данный транзистор относится к полевым транзисторам MOSFET.
Транзистор MOSFET, по сути представляет собой микросхему, которая объединяет тысячи отдельных простейших полевых транзисторов. В совокупности они создают один мощный транзистор, который может пропускать через себя большой ток и при этом практически не оказывать значительного сопротивления.
Транзистор CEB13N5 является N-канальным полевым транзистором с улучшенным режимом.
Общие технические характеристики и отличительные особенности транзистора CEB13N5:
- Тип канала — (-N)
- Тип корпуса — TO-263
- Максимальное напряжение сток-исток — 500V
- Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии — 38Ohm
- Максимальный ток — 13A
- Максимальный импульсный ток — 52A
- Ток утечки сток-исток (max) — 1mkA
- Пороговое напряжение затвора min — 2V
- Пороговое напряжение затвора max — 4V
- Общий заряд затвора — 50nC
- Заряд затвор-исток — 11nC
- Заряд затвор-сток — 19nC
- Входная емкость — 2100pF
- Выходная емкость — 220pF
- Емкость обратного переноса (емкость Миллера) — 7pF
- Задержка включения — 42ns
- Длительность фронта — 62ns
- Задержка выключения — 130ns
- Длительность спада — 25ns
- Мощность рассеивания — 214Вт
- Минимальная рабочая температура — (-55°C)
- Максимальная рабочая температура — 175°C
- Сверхплотная конструкция ячеек для чрезвычайно низкого RDS (ON).
- Высокая мощность и возможность обработки тока.
- Не содержит свинец.
- Широко применяется во всех отраслях промышленности.
Схема транзистор CEB13N5:
