Описание
Транзистор CEB09N7G — данный транзистор относится к полевым транзисторам MOSFET.
Транзистор MOSFET, по сути представляет собой микросхему, которая объединяет тысячи отдельных простейших полевых транзисторов. В совокупности они создают один мощный транзистор, который может пропускать через себя большой ток и при этом практически не оказывать значительного сопротивления.
Транзистор CEB09N7G является N-канальным полевым транзистором с улучшенным режимом.
Общие технические характеристики и отличительные особенности транзистора CEB09N7G:
- Максимальное напряжение сток-исток — 700V
- Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии — 00085Ohm
- Максимальный ток — 9A
- Максимальный импульсный ток — 36A
- Ток утечки сток-исток (max) — 1mkA
- Пороговое напряжение затвора min — 2V
- Пороговое напряжение затвора max — 4V
- Общий заряд затвора — 46nC
- Заряд затвор-исток — 7nC
- Заряд затвор-сток — 5nC
- Входная емкость — 1765pF
- Выходная емкость — 200pF
- Емкость обратного переноса (емкость Миллера) — 20pF
- Задержка включения — 24ns
- Длительность фронта — 9ns
- Задержка выключения — 72ns
- Длительность спада — 10ns
- Мощность рассеивания — 166Вт
- Минимальная рабочая температура — (—55°C)
- Максимальная рабочая температура — 150°C
- Сверхплотная конструкция ячеек для чрезвычайно низкого RDS (ON).
- Высокая мощность и возможность обработки тока.
- Не содержит свинец.
- Широко применяется во всех отраслях промышленности.
Схема транзистор CEB09N7G: